由镓（Ga）和氮（N）构成的化合物半导体。带隙为3.45eV（用光的波长表示相当于约365nm），比硅（Si）要宽3倍。利用该特性，GaN主要应用于光元件。通过混合铟（In）和铝（Al）调整带隙，所获得的和蓝紫色半导体激光器等发光元件已经实用化。
GaN由于带隙较宽，可产生蓝色和绿色等波长较短的光。蓝色LED和蓝紫色半导体激光器，采用了在GaN中添加In形成的InGaN。除了带隙较宽以外，GaN还具有尽缘破坏电场高、电场饱和速度快、导热率高等半导体材料的优异特性。另外，采用HEMT（High ectron Mobility Transistor）构造的GaN类半导体元件，其载流子迁移率较高，适适用作高频元件。原因是会产生名为“二维电子气体层”的电子高速活动领域。而且，由于尽缘破坏电场要比Si和GaAs大，耐压较高，可施加更高的电压。因此，在手机基站等高频功率放大器电路中采用GaN类HEMT的话，能够进步电力附加效率，降低耗电。
最近，GaN作为逆变器及变压器等电力转换器使用的功率元件也极受期待。原因是与Si功率元件相比，GaN类功率元件可大幅降低电力损失。由于尽缘破坏电场较高，能够通过减薄元件降低导通电阻，从而降低导通损失。
GaN类功率元件还有助于实现电力转换器的小型化。原因是与Si功率元件相比，GaN类功率元件能够以高开关频率工作，可缩小周边部件的尺寸。另外，由于导热率高，还可缩小冷却机构。鉴于上述优点，从事服务器、混合动力车和电动汽车以及白色家电业务的厂商等非常关注GaN类功率元件。据悉，2011年GaN类功率元件将有看配备于服务器电源。
倒装芯片安装（flip-chip bonding）
在底板上直接安装芯片的方法之一。连接芯片表面和底板时，并不是像引线键合一样那样利用引线连接，而是利用阵列状排列的，名为焊点的突起状端子进行连接。与引线键合相比，可减小安装面积。另外，由于布线较短，还具有电特性优异的特点。主要用于对小型和薄型具有较高要求的便携产品电路以及重视电特性的高频电路等。另外为了将芯片发出的热量轻易地传递到底板上，需要解决发热题目的LED也有采用这种安装技术的。
将收纳于封装中时假如采用倒装芯片技术，发光层（发热源）间隔封装一侧就较近。因此，轻易将LED芯片的热量散发到封装侧。
另外，采用倒装芯片安装方法安装LED芯片的话，发光层的光射出外部时不会受到电极的遮蔽。尤其是采用蓝宝石底板的蓝色LED等只在LED芯片一面设置电极的产品，其效果更为明显。通过倒装芯片安装的LED的发光效率，与采用引线键合的安装相比，可进步数十％。
用于LSI时可削减芯片面积
倒装芯片安装多用于LSI。原因是由于芯片整体拥有输进输出（I/O）端子，由此可缩小芯片面积。以前，采用通常使用的引线键合方法时，I/O端子在芯片四周，为了备齐所需的I/O数目，必须扩大芯片面积。倒装芯片安装方法无需引线的布线空间，所以可缩小封装。另外还能降低电源噪声，布线电感以及由电阻引起的电力损失。
采用倒装芯片进步光提取效率
通过将位于发光层下部的蓝宝石底板设置在上部，进步了光提取效率。
[1]
标准芯片／大型芯片（regular chip/large chip）
蓝色LED和白色LED的标准芯片是收纳于封装内的LED芯片，大体上一边的尺寸为200～300μm。外形因用途而异，有正方形和长方形等。例如，小型液晶面板背照灯光源使用的白色LED大多配备长方形的蓝色LED芯片。
相对于标准芯片，还有尺寸在1mm见方，面积为标准芯片10倍的大型芯片。另外，尺寸介于大型芯片和标准芯片之间，称为“中型”的芯片也日渐增多。
以前，输进功率超过1W的用具和大型背照灯用LED不使用标准芯片，而使用大型芯片。但最近安装多个标准芯片以进步亮宁波餐饮美食网度的方法（多芯片型）越来越引人注目。目前在照明用途中，从最常用的输进功率1W级的品种，到输进功率超过10W品种的多芯片型均告实现，与采用大尺寸芯片的方法展开了竞争。泡也开始采用多芯片型，例如东芝照明技术2010年1月发布的产品，就采用了将56个标准芯片集成于一个封装的白色LED。
通过重叠多个芯片减少特性不均
大输出功率白色LED的实现方法包括使用1mm见方的大尺寸蓝色LED芯片的方法，以及将多个约0.3mm见方的小尺寸蓝色LED芯片收纳于一个封装内的方法。使用多个小尺寸LED芯片，即使封装内的蓝色LED芯片的发光特性不均，由于每个芯片的发光光谱叠加，所以不同封装之间不轻易出现特性偏差。
多芯片型和大型芯片各有利弊。从照明用具厂商和用户等使用方的角度来看，多芯片型的优点是白色LED间的色差较少，散热面广。LED芯片目前仍存在发光波长不均的现象。通过使用多个芯片，可使发光波长均匀化，降低各个间的波长不均现象。此外还具有如下优点：因LED芯片分散于封装内，不轻易发生热集中现象，由于散热性好，可轻松控制温度上升。
光学设计（optical design）LED的用途包括指示器、液晶面板背照灯、照明用具以及前照灯等，范围极广。对白色LED的发光特性要求呈现出多样化趋势。另外，LED是，而且具有指向性较强的特点。要想满足广泛的用途要求，需要根据LED的这些特点，采用等光学部件，将属于点光源且指向性强的LED光线转变为所期看光学特性的光学设计必不可少。光学设计将为LED增添价值。
日美欧的LED厂商正在瞄准背照灯，车载设备以及照明产品等新兴市场扩大业务范围。在新兴市场上，与光学部件的组合使用，面向产品的安装方法，产品整体的配光控制等越来越重要。LED厂商的目标是涉足这些领域，进步产品的附加值。
在照明用途领域，要想接近所期看的光学设计，不但要预备放射角各异的多种产品，LED厂商还在很多方面下了工夫。例如，德国欧司朗光电半导体实现了多种透镜的使用。备有不同形式的高输出功率白色LED和透镜，将放射角各异的透镜与白色LED相结合。在白色LED的封装上开孔，以插进带有突出的透镜。这样一来，白色LED的放射面和透镜的光轴便可轻松结合在一起，而且一旦结合在一起，光轴就不会错位。
面向新市场扩大业务领域
日美欧的LED厂商欲瞄准背照灯、车载设备以及照明产品等新市场扩大业务领域。在新市场上，与光学部件的组合使用、面向产品的安装方法以及产品整体的配光控制越来越重要。LED厂商的目标是涉足这些领域，进步产品的附加值。
在液晶面板背照灯用途方面，在进行光学设计的基础上，与LED组合使用以获得均匀的面发光的光学部件变得越来越重要。
散热（thermal design）
LED由于发光部较小，为局部热源，因此必须充分考虑对该部分的散热对策。LED亮度和寿命受温度影响会发生大幅变化，因此假如散热设计不完善，就无法获得期看的特性。LED的温度上升，正向电压就会降低，不但会导致发光效率恶化，还会缩短寿命。照明用具和汽车车灯采用多个白色LED，使用了手机背照灯数百倍的光通量。为了增大电流，亮度越亮，就越需要采取各种散热对策。温度轻易升高的高功率产品，其封装也需要采用具有耐热性的珍贵材料，因此还会导致本钱增加。也就是说，散热是关系到效率、本钱和寿命等多个方面的重要因素。
LED散热主要是根据热传导原理传递热量。因此，其构造为通过向多种材料传递热量，逐步扩大受热面积，终极向空气中散热。传递途中存在多种固体材料，材料间存在接触部分。由于固体与固体的接触面上存在的微小凹凸以及面的弯曲等，中间会产生缝隙，导致出现热阻现象。如何抑制热阻现象的出现是进步LED整体导热性的关键。
热传导材料方面，具有热扩散作用的材料尤为重要。充分利用将点的发热扩大到面的材料，使元件整体保持均匀的温度。简而言之，热源与其周边几乎没有温差的状态是LED构造中最为理想的。
[2]
芯片→封装→印刷底板巧妙散发热量
要进步使用LED的产品的散热性，必须将受电力输进影响而温度上升的LED芯片的热量充分导出。为此，①在降低从芯片到封装的热阻的基础上，还要②降低从封装至印刷布线底板的热阻，③为了散发印刷布线底板的热量，最后还要预备一条将芯片热量顺利散发到空气中的通道。
利用散热片和散热管防止LED灯过热
丰田汽车的“雷克萨斯 LS600h”上配备的LED前照灯为了防止白色LED灯过热，在各灯的背面设置了散热片（a）。为了能更有效地散热，还设置了散热管，预防灯壳过热（b）。通过这些措施，即使不使用基于冷却扇的强制空冷，也可为白色LED灯散热。
随着高输出功率封装的采用不断增加，近来，LED照明用具大多在印刷底板中使用金属底板。不过，即便是金属底板，确保充分散热还是越来越困难。对此，散热性高的新构造底板方案被提了出来。
例如，电气化学产业研究的“AGSP底板”采用在热传导较高的尽缘树脂中嵌进Cu突起，将LED的热量经过Cu突起散发到安装面的另一侧。假如让散热片和外壳能够接触，即可实现有效散热。该公司表示，假如是相当于40W白炽灯的LED，采用金属底板即可充分散热，但假如安装的是相当于100W白炽灯的LED，还是AGSP底板更有效。Cu突起的直径相对于LED芯片可实现足够大的4mm左右。
散热性优异的AGSP底板
由电气化学产业与大和产业开发。右为安装LED封装的示例。经过Cu突起将LED元件的热量散发到底板里侧。
此外，作为高输出功率LED用底板，还有在热传导率较高的AlN板上印刷Ag膏的陶瓷底板。
[3]
封装材料（packaging materials）
将LED芯片安装到封装中时，为了将LED芯片发出的光提取到封装外部，封装的一部分或者大部分采用透明材料。透明材料使用的是环氧树脂和硅树脂，最近还在开发玻璃材料。环氧树脂用于作为指示器和小型液晶面板背照灯光源使用的、输出功率较小的LED。而硅树脂则用于输出功率较大的LED。
硅树脂与环氧树脂相比，可抑制材质劣化后光透射率的下降速度。用于照明用具和大尺寸液晶面板背照灯等的高输出功率产品几乎全部采用基于硅树脂的封装技术。针对波长为400nm～450nm的光，环氧树脂最多会吸收数％，而硅树脂还不到1％。树脂的劣化速度也相对缓慢。有LED厂商称，采用环氧树脂的话，到达亮度减半时的寿命最多为1万小时，而采用硅树脂，亮度减半所需的时间延长到了4万小时。顺便提一下，4万小时的元件寿命与照明产品的设计寿命相同，因此照明产品的设计寿命期间无需更换白色LED。
采用硅树脂作为封装材料，使用一万小时也几乎不会发生劣化
大输出功率白色LED中，假如LED芯片的封装材料使用硅树脂，400nm左右的光的透射率比环氧树脂高，而且点亮一万小时后亮度也几乎不会发生劣化（a）。另一方面，由于环氧树脂吸收短波长的光，材质劣化导致透射率下降，因此亮度明显降低（b）。 采用玻璃材料，其劣化抑制效果比硅树脂还要高。丰田合成等着手进行了研究，在陶瓷底板上设置金（Au）突起，在其上面安装蓝色LED芯片，然后利用混合了黄色荧光体的无机玻璃材料封装蓝色LED芯片整体。由于全部由无机材料构成，因此可靠性较高。
[4]
荧光体（fluorescent materials）
在蓝色LED和近紫外LED等LED元件中，为了获得白色光等LED芯片本身发光色以外的光，需要使用荧光体。为形成白色LED而与蓝色LED芯片组合使用的荧光体包括，黄色荧光体、黄色荧光体与红色荧光体的组合、以及绿色荧光体与红色荧光体的组合等……
在蓝色LED和近紫外LED等LED元件中，为了获得白色光等LED芯片本身发光色以外的光，需要使用荧光体。为形成白色LED而与蓝色LED芯片组合使用的荧光体包括，黄色荧光体、黄色荧光体与红色荧光体的组合、以及绿色荧光体与红色荧光体的组合等。荧光体材料包括YAG（钇·铝·石榴石）系、TAG（铽·铝·石榴石）系、SiAlON系以及BOS（原硅酸钡）系等。
利用蓝色LED芯片和荧光体构成白色LED时，一般采用（1）将荧光体与树脂材料混合，覆盖到蓝色LED芯片上；（2）将混合了荧光体的膜贴到蓝色LED芯片上；（3）在蓝色LED芯片的发光面上直接涂布荧光体等方法。其中（1）的方法最为常用。
最近比较引人关注的是方法（3）。假如采用在LED芯片上直接涂布荧光体的构造，则只有LED芯片表面部分存在荧光体。由此，通过芯片表面部分后的光不会由于荧光体而发生漫射现象。另外，还能从同一个面上放射蓝色和黄色光。尤其是组合使用透镜时，具有可获得非常完美的配光等优点。德国欧司朗光电半导体等采用的就是该方法。
抑制荧光体的光漫射
由日本电气化学产业与大和产业开发。右为安装LED封装的示例。经过Cu突起将LED元件将荧光体直接涂布到芯片上的构造与采用原有构造但改变荧光体粒子大小的方法进行的比较。
以前在封装LED芯片时，采用的是在安装到LED芯片表面的透明硅树脂中混合荧光体的方法。采用该方法，根据荧光体发生变化的光波在碰到其他荧光体时会发生漫射。在反复发生漫射的过程中，会导致光衰减。
白色LED（white light emitting diodes）
白色LED指将多种不同波长的光叠加输出白色光线的二极管。主要用于液晶面板的背照灯光源、照明光源、霓虹灯、指示器光源以及汽车前照灯光源等，应用范围较广。由于耗电量低且寿命长，因此可代替荧光管和白炽灯成为新一代光源而备受期待。白色LED中，加强红色调，发光颜色与白炽灯相似的品种称为灯泡色LED。
从2008～2009年前后开始，发光效率超过80lm/W和100lm/W的白色LED相继面世，实际使用时的光利用效率超过了荧光灯。由此照明用白色LED的可能性一举进步。LED厂商和LED照明的业界团体，已经制定了今后进一步进步高输出功率产品的发光效率的发展蓝图。
白色LED单位亮度的价格在逐年降低。例如与荧光灯相比，获得1lm光通量的光源价格，2005年时白色LED约高出100倍，但LED厂商通过增加生产设备，进步成品率，将单位亮度的价格现在控制在了荧光灯的2倍以内。
[5]
将蓝色LED等与荧光材料相组合
白色光的实现方法大体分为三种。第一，用蓝色LED芯片发出的光线照射荧光体得到白色光。第二，将近紫外LED芯片发出的光线照射多种荧光材料使得光线混合成白色。第三，使R(红色)，G（蓝色），B（蓝色）三色LED同时发光混色而成。
不断进步的白色LED效率
日亚化学产业的量产白色LED的发光效率变化图。包括脉冲发光产品在内。
其中的主流方法是利用蓝色LED芯片的白色LED。荧光材料包括采用黄色荧光材料、在黄色荧光体中加进红色荧光体的材料、以及组合了绿色荧光体和红色荧光体的材料等。例如使用黄色荧光体时，用蓝色光的一部分照射荧光体，输出黄色光，再混合蓝色和黄色而获得白色光。此时，红色光较弱，所以只能得到近似白色光；由于色温较高，因此形成的是蓝白光（色温较高的光）。这一题目可宁波丰胸网通过使用红色荧光体减轻。假如进一步加强红色荧光体发的光，就会形成与白炽灯相接近的光（灯泡色LED）。另外，利用近紫外LED芯片的白色LED，其发光光谱更轻易接近自然光。
蓝色LED
指蓝色。发光波长的中心为470nm前后。用于照明用具和指示器等蓝色显示部分的光源、的蓝色光源以及液晶面板的背照灯光源等。与荧光体材料组合使用可得到白色光。目前的白色LED一般采用蓝色LED与荧光材料相组合的构造。
蓝色LED得以广泛应用的契机，是日亚化学产业于1993年12月在业内首次开发出了光强达1cd以上的品种。而在此之前，还没有蓝色纯度较高且具有实用光强的LED。因此，采用LED的大尺寸显示屏无法实现全彩显示。
蓝色LED的材料使用氮化镓（GaN）类半导体。以前曾盛行用硒化锌（ZnSe）类半导体开发蓝色LED，但自从1993年12月采用GaN类半导体的高亮度蓝色LED被开发出来后，蓝色LED的主流就变成了采用GaN类半导体的产品。
罗姆的蓝色LED的发光情景。
蓝色LED的构造为，在蓝宝石或者SiC底板等的表面上，重叠层积氮化铝（AlN）半导体层和GaN类半导体层。在称为活性层、发蓝色光的部分设置了使p型GaN类半导体层和n型GaN类半导体层重叠的构造。
pn结是制作所必须采用的构造。在使用GaN以外材料的红色等LED中，pn结很早以前就是主流构造。而在1993年高亮度蓝色LED面世之前，采用GaN类材料难以实现pn结。原因是制成n型GaN类半导体层虽较为简单，但p型GaN系半导体层的制作则较为困难。之后，通过对在p型GaN类半导体层和n型GaN类半导体层之间配置的GaN类半导体层采用多重量子阱构造，并进一步改善GaN类半导体层的质量，光强获得了大幅进步。
绿色LED
发射绿光的二极管。发光中心波长在560nm左右。用于霓虹灯和指示器、LED显示器的光源以及液晶面板的背照灯光源等。
绿色LED与红色LED及蓝色LED相比，被以为尚有较大的改进余地。组合红色LED、绿色LED和蓝色LED构成LED显示器或液晶面板的背照灯光源时，为了调制成亮度高且均衡的白色，考虑到人眼的视觉灵敏度，RGB三色LED光量的分配比例需为约3:6:1或者约3:7:1。因绿色LED的亮度不足，因此必须使用多个绿色LED来进步输出功率。绿色LED主要使用的GaN类半导体材料比用于蓝色LED时的效率低，输进相同的电力，光输出功率较低。
这种状况开始出现改观。日本国内外的大学和LED芯片厂商等已开始着手研究通过改变GaN结晶的成长面，来大幅进步效率。假如GaN类半导体的结晶面得以改变，有可能会将绿色LED的效率进步至目前的2倍以上。
目前销售的GaN类半导体绿色LED效率低下的原因主要在于压电场。压电场是指因结晶构造的应力而导致的压电极化所产生的电场。市场上销售的绿色LED多是以GaN结晶的极性面c面（0001）为成长面，以其法线方向（c轴）为成长轴的层积GaN类半导体层等。通过改变成长轴来减弱压电极化，以与GaN类结晶的c面垂直的称为a面或m面的非极性面，或者相对于c面倾斜的半极性面为成长面，以每个面的法线方向为成长轴的绿色LED的研究非常活跃。
[6]
红色LED 发射红光的二极管。发光中心波长在620～630nm左右。主要用于霓虹灯、指示器、汽车尾灯和信号机等中的红色显示部分的光源、LED显示器的红色光源以及液晶面板的背照灯光源等，应用范围广泛。
目前，红色LED的主流材料是A lInGaP化合物半导体。AlInGaP因使用Al，Ga，In和P这4种元素，所以称为4元材料。在LED领域4元材料一般就是指AlInGaP。不仅仅是红色，AlInGaP还涵盖了从红色到黄色的波长范围。
进进20世纪90年代后AlInGaP的亮度迅速增加。这是由于以法为代表的气相外延成长技术取得进步，结晶的质量得以进步的结果。而在AlInGaP面世以前，GaAs类半导体为主流材料。采用的是液相外延成长技术。
罗姆的红色LED的发光情景
红色LED与蓝色LED及绿色LED相比，驱动电压和温度特性有所不同。这是由于半导体材料不同，红色LED采用AlInGaP，而蓝色LED和绿色LED采用GaN类材料。驱动电压（正向电压）方面，红色LED为2V以上，而蓝色LED和绿色LED为3V以上。温度特性方面，红色LED的输出功率会因温度影响而发生较大的变化，高温时输出功率的降低比绿色LED和蓝色LED要明显。因这些特征上的差异，液晶面板的背照灯和LED显示器等组合使用红色LED、蓝色LED和绿色LED时就需要采取相应的措施。例如，利用色彩传感器监测红色LED的特性变化，还需要进步LED的散热性能等。
※InGaN和AlInGaP在绿色波长帯的外部量子效率均大幅下降。
紫外LED
发射紫外光的二极管。一般指发光中心波长在400nm以下的LED，但有时将发光波长大于380nm时称为近紫外LED，而短于300nm时称为深紫外LED。因短波长光线的杀菌效果高，因此紫外LED常用于冰箱和家电等的杀菌及除臭等用途……
发射紫外光的二极管。一般指发光中心波长在400nm以下的LED，但有时将发光波长大于380nm时称为近紫外LED，而短于300nm时称为深紫外LED。因短波长光线的杀菌效果高，因此紫外LED常用于冰箱和家电等的杀菌及除臭等用途，以及与荧光体组合发出可视光的LED等用途。例如将红色、绿色和蓝色荧光体与紫外LED组合，可获得白色LED。
紫外LED主要采用GaN类半导体。产品方面，日亚化学产业上市了发光中心波长从365nm～385nm不等的品种，Nitride Semiconductor上市了发光中心波长为355nm～375nm不等的品种。
日亚化学产业2002年发布的紫外LED
LED芯片的尺寸为1mm×1mm，为普通LED的10倍，而且收纳于具有金属封装内。
波长不足300nm的深紫外LED的开发活动也很活跃。2008年理化学研究所和松下电工曾公布，采用GaN类半导体的InAlGaN开发出了发光中心波长为282nm，光输出功率为10mW的深紫外LED。波长更短的深紫外LED方面，NTT物性科学基础研究所采用AlN材料开发出了发光中心波长为210nm的深紫外LED。
红外LED
发射红外光线的二极管。一般指发光中心波长超过700nm的LED。多用作远控器和红外线通讯的光源、测距传感器光源、光电耦合器光源以及打印机机头的光源等。红外LED使用AlGaAsP等GaAs类半导体材料。
红外LED的正向电压约为1.5V。与红色LED的2V以上和蓝色LED的3V以上相比要低。
红外LED的历史悠久。1962年就发现了利用以GaAs为代表的III-Ⅴ族化合物半导体的pn结可放射出相当于红外光的电磁波的现象。
压电电场（piezoelectric fields）
根据结晶构造的应力而产生的压电极化而发生的电场。是导致以InGaN等GaN类半导体为发光层的蓝色LED和绿色LED的外部量子效率降低的原因之一。该现象不仅限于LED，作为降低蓝紫色半导体激光器耗电量的技术、以及实现绿色半导体激光器的技术如何避免压电电场的出现备受关注。
市场上销售的InGaN类以GaN结晶的极性面c面（0001）为生长面，以其法线方向（c轴）为生长轴，在基片上层积InGaN层等。此时，生长轴c轴方向就会产生压电电场。由于该原因，注进发光层的电子和空***分离，导致促成发光的再结合的出现率下降。内部量子效率由此降低，从而导致外部量子效率降低。
c轴方向产生压电电场，是由于InGaN层的结晶构造歪曲变形导致出现了压电极化。构成InGaN层的InN和GaN的a轴方向的晶格常数存在的差距是产生变形的原因。除了发生压电极化外，InGaN层在结晶构造上还会产生自发极化。不过，压电极化产生的电场较大，自发极化产生的电场与压电电场相比非常小。
在半极性面和非极性面上制作LED时的优点
目前市场上销售的发光层采用InGaN的蓝色LED和绿色LED，是沿GaN的c面（0001）的法线（c轴）方向生长结晶的。不过，生长方向c轴方向上会产生压电电场，从而导致发光效率降低等。假如在相对于c面垂直的a面和m面等非极性面的法线（a轴，m轴）方向，或者相对于c面倾斜的半极性面的法线方向生长结晶，即可减弱压电电场对生长轴方向的影响。
压电电场沿c轴方向产生，因此假如将InGaN层的生长轴设置在偏离c轴的方向上的话，压电电场对生长轴方向的影响就会减弱，由此可进步外部量子效率。因此，以与GaN结晶的c面垂直，名为a面和m面的非极性面，或者相对于c面倾斜的半极性面为生长面，以每个面的法线方向为生长轴来制造InGaN类LED的研究活动越来越活跃。
可见光通讯（visible light communications）
指利用肉眼看得见的“可视光”传递信息的通讯技术。主要利用照明用具和信号机等显示设备以及汽车车灯等配备发光二极管(LED)的设备发出的可视光，通过改变其频率，或令其闪烁来发送数据。优点是不存在利用无线通讯时需要的频率分配题目。在通讯速度上，LED灯远远高于荧光灯。
发光场所明确的可见光通讯
可见光通讯拥有四大优点。第一，使用可视光检测位置，位置精度之高是电波尽对无法超越的。第二，能够以低价格实现高速传输。第三，能够有效利用照明设备等已有基础设施。第四，由于能够看见发光场所和行进方向，因此能够清楚知道信息将传送到哪里，以及是从哪个方向传来的。图根据庆应义塾大学的资料制作。
[7]
