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深紫外LED基础上AlGaN的最新发展

深紫外LED基础上AlGaN的最新发展 2010年10月16日在深圳第七届中国国际半导体照明论坛“材料与装备技术分会”上，来自日本理化学研究所博士Hideki Hirayama向参会嘉宾介绍了深紫外LED基础上AlGaN的最新发展。 　　Hideki Hirayama展示了发光波长在222-351nm之间的AlGaN基多量子阱(MQW)深紫外(UV) LED，这些LED制作于蓝宝石基的低位错密度(TDD) AlN模板上。生长于低位错密度AlN模板上的AlGaN或AlInGaN多量子阱实现了高达50-80％的内量子效率(IQE)。同时，通过使用多量子垒(MQB)显著改善了电子注入效率(EIE)。对于256-275nm LEDs获得了超过20mW的连续波输出功率。对于247nm和270nm AlGaN-LEDs最大外量子效率分别达到了1.8％和2.75％。
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